快速辐射加热超低压化学气相沉积原子级外延方法与技术

    该项目属半导体材料科学技术领域。

    该项发明成果创新发展了制备半导体异质结构，超晶格量子阱材料的超薄层异质外延方法与技术。获得两荐国家发明专利：（1）一种获得半导体异质结构与超晶格材料的方法与设备，专利号：90105603.0；（2）一种获得低表面分凝硅/锗硅异质结构的外延生长方法，专利号：92109725.5。专利（1）提出采用先进的计算机软/硬件技术实现“快速辐射加热”超低压化学气相淀积”（RTPZ/VLP-CVD），以埃/秒级生长速率生长组份可调的锗硅合金（Sil-xGex）超薄层材料。专利（2）提出采用掺氢扼制GeSi上生长Si时Ge进入到Si层的分凝新方法，有效扼制了Ge的分凝现象，解决了SiGe/Si多层量子结构材料生长的技术难点，获得界面陡峭的SiGe/Si量子结构材料。这种方法及技术与先进的硅技术工艺兼容，并具有性能优越，功能多，用途广，自动化程度高，结构简便可靠，费用低，便于推广的特点。

    运用该荐方法与技术，成功地制备出各种优质Sil-xGex/Si异质结构超晶格材料，提供给国内外十多个单位使用，取和良好的效果。同时，移植技术也已成功地生长出GaN蓝光材料，表明该项发明的有效性。

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