碳化硅晶须原料制备及其连续化生产新工艺

    该项目属高技术新材料领域。碳化硅（SiC）晶须是金属基、陶瓷基和高聚物基等先进复合材料的增强剂。研究包括：SiC晶须原料的制备；连续稳定生产SiC晶须工艺。高活性、混凝土合均匀的SiO2-C原料是SiO2碳热还原法制取优质SiC晶须的关键。该研究成功地用工业硅酸溶液和盐酸，采用独特的操作工艺，制得活性高、粒度细、SiO2-C混合均匀、疏松性好的SiC晶须原料。本发明已于1997年4月17日被授于专利权，专利号：ZL92108125.1。本发明的特点在于生成的硅胶沉淀特，过滤、洗涤性能优良，易洗涤除去杂质，能耗和成本低，环境保护好。研究的SiO2碳热法连续制备SiC晶须新工艺，在原料制备、连续进出料、合成气氛、生长空间的维持等方面具有独特性。研究了C/SiO2比、合成温度、合成时间、催化剂及生长空间等对晶须质量的影响，优化得适宜的工艺参数。该项目已在764厂工业装置生产线上运行，生产出晶型完整、直晶率高的SiC晶须，工艺和产品质量稳定，晶须收率75%以上，能耗和成本低，运行环境良好。1995年投产以来新增产值和利税显著，取得良好的经济效益。SiC晶须764厂已用于增韧Si3N4和Al2O3陶瓷，制得新型牌号陶瓷刀具、取得较在社会效益。正扩建车间，满足市场需要。

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